我国开展光有源器件的研究是从20世纪70年代开始的。当时西方国家根据所谓"巴统"规定，对我国进行高新技术的封锁和禁运，光有源器件亦在其中。于是中科院半导体所、武汉邮科院、电子部第44所、电子部第13所等单位，发扬"自力更生"的精神，研制了波长为850nm的所谓短波长光器件，如采用GaAlAs/GaAs材料同质结或异质结结构的LD和LED光源、Si-PIN检测器等。虽然现在来看这些器件的性能较 差，但也满足了我国光通信起步阶段的需要。

此后，这些单位又开发了波长为1310nm和1550nm的所谓长波长器件，如采用InGaAsP/In材料隐埋双质结构的半导体激光器、采用InGaAs/In材料的PIN检测器等。这些芯片本身的性能有了很大提高，但在研制初期，芯片与光纤之间采用 环氧树脂进行粘结，所以器件的气密性能差、粘结强度小、光纤易移位，因而整个器件的性能和可靠性较差。后来采用全金属化的耦合封装工艺，器件的可靠性和寿命大大提高，满足了当时光通信日益发展的需要。

1993年之前，我国光通信所需的光有源器件，基本上都是由国内生产商提供的，以致西方国家认识到在有源器件等方面再用"巴统"向我国进行技术封锁和禁运，反而失去中国的大市场，是得不偿失的，于是只得宣告"巴统"解散，国外的光有源器件开始大量涌入我国市场。