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底物化学发光操作注意

2018/06/1966 作者:佚名
导读: 1. 试剂每个批号均独立优化,请不要混用或稀释试剂以免降低敏感性;2. 加入一抗后膜不能再干燥;3. 适当地封闭和洗涤膜片至关重要;4. 使用前配置化学发光试剂,配置足够覆盖膜片即可,弃去使用过的混合试剂;5. 使用干净取样头取用每种试剂;6. 第一张片子建议曝光1分钟,观察结果后判断最佳曝光时间可从30秒至2小时不等;7. 除了放射自显影片曝光和洗片处理外,所有步骤均不必在暗室中操作;8.

1. 试剂每个批号均独立优化,请不要混用或稀释试剂以免降低敏感性;

2. 加入一抗后膜不能再干燥;

3. 适当地封闭和洗涤膜片至关重要;

4. 使用前配置化学发光试剂,配置足够覆盖膜片即可,弃去使用过的混合试剂;

5. 使用干净取样头取用每种试剂;

6. 第一张片子建议曝光1分钟,观察结果后判断最佳曝光时间可从30秒至2小时不等;

7. 除了放射自显影片曝光和洗片处理外,所有步骤均不必在暗室中操作;

8. 膜片可经适当方法洗脱原有抗体,再次印迹使用,在此情况下,此试剂更为理想;

9. 因为它不象生色物质需要从膜片上清除底物。

10. nan3能抑制HRP活性,应避免使用nan3。

*文章为作者独立观点,不代表造价通立场,除来源是“造价通”外。
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