由于等离子刻蚀工艺中的过程变量，如刻蚀率、气压、温度、等离子阻抗，等等，不易测量，

虚拟测量(Virtual Metrology)

光谱测量(Optical emission spectroscopy)

等离子阻抗监控(Plasma impedance monitoring)

终端探测(end-point detection)

远程耦合传感(remote-coupled sensing)

run-to-run 控制(R2R)

模型预测控制(MPC)

人工神经网络控制

1. 确认万用表工作正常，量程置于200mV。

2.冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。

3.用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为正值，说明导电类型为P 型，刻蚀合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为P型。

4.如果经过检验，任何一个边沿没有刻蚀合格，则这一批硅片需要重新装片，进行刻蚀。