这个通道包含有通过光学耦合到内置高速光子检测器的 GaAsP发光二极管，光二极管和输出晶体管集电极的独立连接设计可以通过降低基极到集电极电容，将速度提升到传统光晶体管耦合器的数百倍。

这个器件非常适合宽带模拟应用以及TTL 到 LSTTL 或CMOS接口。顺向电流 IF= 16mA 时电流传输比 (CTR, Current Transfer Ratio) 为 9%，可达 18V 的Vcc 可以让设计工程师将任何 TTL 系列和 CMOS 接口，提供基极引脚带来模拟应用的优化增益和带宽调整，芯片光二极管的浅深度设计则带来比传统光晶体管耦合器更佳的抗辐射能力。

这些产品并提供有晶体管基极相连选择来改善共模抑制 (CMR) 和抗 ESD 能力，另外，也可特别要求更高 CTR 产品。

这个裸芯片的封装型式有单、双或四通道 8-pin 和 16-pin DIP 直插型封装、16-pin 表面贴装 DIP 扁平封装和 20 接点无引线陶瓷芯片载体 (LCCC) 封装选择，大部分器件提供有多种引脚型式和渡层选择。

由于数据表中所列出每个器件的通道都使用相同电气特性的芯片，包括发射器和检测器，因此几乎所有产品的最大绝对规格、建议工作条件、电气规格和性能特性等几乎完全相同，如有基于封装变化和限制造成的部分例外会予以标示。另外，所有器件也使用相同的封装组装工序和材料，这样的相似性可以带来由其中一个产品所取得数据可以代表其他产品性能和部分有限辐射测试作为可靠性结果。