这个器件包含有通过光学耦合到内置高增益光子检测器的 GaAsP发光二极管，高增益输出级电路拥有集电极开路输出，带来比传统光达灵顿光电耦合器更低的饱和电压和更高的信号速度。

电源电压可低达 3.0V 而不影响参数性能，这些器件在输入电流仅 0.5mA 时具有 300% 的最低 CTR，使它们非常适合低输入电流应用，如 MOS、CMOS、低功耗逻辑接口或长线接收器。

这个裸芯片的封装型式有单、双或四通道 8-pin 和 16-pin DIP 直插型封装选 择，所有器件提供有多种引脚型式和渡层选择。

由于数据表中所列出每个器件的通道都使用相同电气特性的芯片，包括发射器和检测器，因此几乎所有产品的最大绝对规格、建议工作条件、电气规格和性能特性等几乎完全相同，如有基于封装变化和限制造成的部分例外会予以标示。另外，所有器件也使用相同的封装组装工序和材料，这样的相似性可以带来由其中一个产品所取得数据可以代表其他产品性能作为可靠性和某些有限辐射测试结果。