PROM的总体结构、工作原理和使用方法都与掩膜ROM相同(见只读存储器)。不同的是PROM器件出厂时在存储矩阵的每个交叉点上均设置了二极管,并且有快速熔断丝与二极管串连,如图所示。
用户可以按照自己的需要写入数据,即对PROM编程。编程时应将那些不需要保留的二极管上串接的熔丝熔断。为此,必须在相应的字线与位线之间通以足够大的脉冲电流。编程工作通常需利用专门的编程器完成。
因为熔丝熔断后无法恢复,所以这种采用熔丝工艺制作的PROM一经写入数据后便不能修改。
PROM是成批生产的,当需要的ROM数量较小时,使用PROM比制作专门的掩膜ROM更经济,而且有利于缩短制作周期。