与传统光耦相比，基于磁隔离技术的磁耦具有诸多优势:

磁耦消除了与光耦合器相关的不确定的电流传送比率、非线性传送特性以及随时间漂移和随温度漂移问题;磁耦均带有25KV/us的瞬态共模抑制能力，且能够在电压差峰值560V的环境下正常工作。磁耦器件可提供5000Vrms/min及6000V/10sec的电压隔离保护，多种型号的磁耦带有±15KV的ESD保护。

采用芯片级变压器技术传输信号，消除光耦传输时的器件损耗。器件内部基本不存在损耗，

正常工作条件下至少达到50年工作寿命。

磁耦能够在低功耗的条件下实现150Mbps的高速数据隔离，光耦鲜有如此高的传输速率，实现同样高的传输速度，磁耦比光耦有着更高的性价比。磁耦芯片内部含有施密特电路，能够对输入输出的电路滤波整形，因此可直接与各种高速控制芯片直接连接，如:DSP、ARM、PLC等。

磁耦基于芯片级变压器传输原理，信号传输时几乎不存在能量损耗，因此能以极低的功耗实现高度的数据隔离。相同速率下，其功耗仅为光耦的1/10~1/6。

磁隔离技术是通过采用晶圆级工艺直接在片上制作直径约500um的变压器来实现的。利用此平面变压器的独特特征以及一些创新的电路设计，磁隔离产品可以在不影响性能的前提下，在一个封装内集成许多不同的特性与功能。磁耦采用的标准封装:SOIC-8、SOIC_W-16及SOIC_W-20等。

磁耦的小体积及多种通道配置，是电路设计更加简洁，应用更加灵活。集成的多种接口收发器使得接口隔离电路集成度更高，线路连接大大减少。