半导体热电材料的制备方法大致有如下几种：
（1）粉末冶金法。宜于大批量生产，材料的机械强度高且成分均匀，易于制成各种形状的温差电元件，其缺点是破坏了结晶方位，材料密度较小，从而不能获得高的热电性能。
（2）熔体结晶法。设备操作简单，严格控制可获得单晶或由几个大晶粒组成的晶体，材料性能较好。缺点是不宜大批量生产，材料的机械强度差，切割的材料耗损较大。
（3）连续浇铸法。宜于大批量生产。缺点是设备费用大，且不易控制。
（4）区域熔炼法。可获得高质量的单晶材料，杂质分布均匀。缺点是价格昂贵，不宜大批量生产。
（5）单晶拉制法。可获得高质量的单晶，但单晶炉的结构比较复杂。缺点是不适宜大批量生产。
（6）外延法制取薄膜。该法用于Bi2Te3薄膜生长。
