集成电路(IC)中采用的电容器基本上有两种:MOS电容器和p-n结电容器。
MOS电容器的一个极板是衬底上的重掺杂区[如发射区]，另一个极板是顶层的金属膜，中间可用热生长的SiO2膜作为介质层;MOS电容器的电容量与介质层的介电常数成正比，为了增大电容量，希望采用较大介电常数的介质材料[SiO2、Si3N4和Ta2O5的介电常数分别为3.9、8和22];MOS电容器的电容量基本上与电压无关，并且其串联电阻小，又几乎不存在漏电流。
p-n结电容器一般采用n+-p型式，并且需要加反向偏压(以防pn正偏而漏电)，则其电容量与电压有关;而且电容量通常不能制作得很大，其串联电阻也要比MOS电容器的大得多。
