电力二极管:结构和原理简单，工作可靠;
晶闸管:承受电压和电流容量在所有器件中最高
IGBT:开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小;缺点:开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTO
GTR:耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低;缺点:开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题
GTO:电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强;缺点:电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低
MOSFET:开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题;缺点:电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
制约因素:耐压，电流容量，开关的速度。
