GTO和普通晶闸管一样，是PNPN四层半导体结构，外部也是引出阳极.阴极和门极。但和普通晶闸管不同的是，GTO是一种多元的功率集成器件。虽然外部同样引出三个极，但内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO单元，这些GTO单元的阴极和门极在器件内部并联，他是为了实现门极控制关断而设计的。
GTO的内部结构图和电气图形符号
GTO的工作原理
从图中可知PNP和NPN构成了二个晶闸管V1 V2分别有共基极电流增益a1和a2。
1 当a1+a2=1时，是器件临界导通的条件。
2 当a1+a2>1时，是二个晶体管过饱和导通的条件。
3 当a1+a2<1时，是不能维持饱和导通而关断的条件。
