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1)在设计器件时使a2较大，这样晶体管V2控制灵敏，这样GTO可以很容易关断。
2)使得a1+a2趋向于1，普通晶闸管的a1+a2>=1.15，而GTO的近似为1.05，这样GTO导通时饱和程度不深，更接近于临界饱和，为门极可关断控制提供了有力条件。不利因素，导通使管压降增大了。
3)集成结构中每个GTO单元的阴极面积小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2基区的横向电阻很小，使门极抽出较大的电流成为可能。
4)它比普通晶闸管开通过程快，承受的电压能力强。
