第1章 半导体器件的理论基础

1.1 半导体基础

1.1.1 半超导体与金属中的载流子

1.1.2 电子在金属和半导体的能量分布

1.1.3 半导体导电的热敏性

1.2 PN结原理

1.2.1 平衡条件下的PN结

1.2.2 偏置条件下的PN结

1.2.3 PN结的穿通与击穿

1.2.4 PN结的电容

1.2.5 PN结的动态特性

参考文献

思考题

第2章 半导体二极管与晶体管

2.1 半导体二极管

2.1.1 分段线模型

2.1.2 PN结功率二极管

2.1.3 FRED（Fast Recovery Epitomical Diode）

2.1.4 稳压二极管

2.1.5 肖特基势垒二极管

2.1.6 碳化硅肖特基势垒二极管

2.2 双极晶体管（BJT）

2.2.1 双极晶体管的基本结构

2.2.2 双极晶体管的基本工作原理

2.2.3 双极晶体管的放大作用

2.2.4 双极晶体管的静态工作特性

2.2.5 双极晶体管的特性参数

2.3 场效应晶体管（FET）

2.3.1 结型场效应晶体管（JFET）

2.3.2 绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）

参考文献

思考题

第3章 晶闸管

3.1 晶闸管的工作原理与特性

3.1.1 晶闸管的基本结构和基本特性

3.1.2 晶闸管的基本工作原理

3.1.3 晶闸管的静态特性与参数

3.1.4 晶闸管的动态特性与参数

3.1.5 晶闸管特性参数表

3.2 特种用途晶闸管

3.2.1 快速晶闸管（FST）

3.2.2 逆导晶闸管（RCT）

3.2.3 双向晶闸管（TRLAC）

3.2.4 光控晶闸管（LTT）

3.3 晶闸管应用基础

3.3.1 晶闸管的串并联应用

3.3.2 晶闸管的保护方式

参考文献

思考题

第4章 自关断双极器件

4.1 巨型双极晶体管（GTR）

4.1.1 GTR的结构

4.1.2 GTR的工作特性

4.1.3 GTR的击穿特性与安全工作区

4.2 门极可关断晶闸管（GTO）

4.2.1 GTO的基本结构和工作原理

4.2.2 GTO的基本结构性及特性参数

4.2.3 GTO的失效与保护

参考文献

思考题

第5章 功率场控器件

5.1 功率MOSFET

5.1.1 功率MOSFET的结构

5.1.2 功率MOSFET的工作特性

5.1.3 功率MOSFET的可靠性问题

5.1.4 功率MOSFET的应用基础

5.2 IGBT、MCT和IPM

5.2.1 IGBT的基本结构和工作原理

5.2.2 IGBT的工作特性

5.2.3 MCT

5.2.4 智能功率模块IPM（Intelligent Power Module）

5.3 SIT和SITH

……

第6章 电力电子器件的散热

附录1 1956年诺贝尔物理奖——晶体管的发明经过及电力电子器件的发展

附录2 引人注目的新型IGBT：NPT-IG