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建设工程知识

程控单结晶体管工作原理

2018/06/19111 作者：佚名
导读： ​它属于PNPN四层、三端、具有负阻特性的半导体器件。三个引出端分别是阳极A，阴极K，门极G。门极是从靠近阳极的N型半导体上引出①。PUT等效于由PNP硅管T1和NPN硅管T2构成的互补晶体管。当VA>VG+0.7V(0.7V是T1的发射结正向压降VEB)时，T1导通，IC1↑，使T2导通，IC2↑，这就进一步促使T1导通，形成正反馈，导致A-K间电阻急剧下降，呈现负阻特性。

​它属于PNPN四层、三端、具有负阻特性的半导体器件。三个引出端分别是阳极A，阴极K，门极G。门极是从靠近阳极的N型半导体上引出①。PUT等效于由PNP硅管T1和NPN硅管T2构成的互补晶体管。当VA>VG+0.7V(0.7V是T1的发射结正向压降VEB)时，T1导通，IC1↑，使T2导通，IC2↑，这就进一步促使T1导通，形成正反馈，导致A-K间电阻急剧下降，呈现负阻特性。

*文章为作者独立观点，不代表造价通立场，除来源是“造价通”外。
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