前段-Array

前段的Array 制程与半导体制程相似，但不同的是将薄膜晶体管制作于玻璃上，而非硅晶圆上。

中段-Cell

中段的Cell 制程，是以前段Array的玻璃为基板，与彩色滤光片的玻璃基板结合，并在两片玻璃基板间灌入液晶(LC)。

后段-Module Assembly (模块组装)

后段模块组装制程是将Cell制程后的玻璃与其他如背光板、电路、外帧等多种零组件组装的生产作业

薄膜晶体管液晶显示器的显示质量和性能在很大程度上都取决于薄膜晶体管的性能，而质量良好的薄膜又是保证薄膜晶体管的性能的关键所在。薄膜晶体管的结构一般分为:正交叠结构和反交叠结构和反交叠结构包括背沟道刻蚀型和背沟道保护型。由于正交叠结构形成的薄膜晶体管的源极和漏极与有源层构成的欧姆接触很不理想，所以大多在制造薄膜晶体管时选用反交叠结构。 正交叠结构薄膜晶体管、背沟道保护型结构薄膜晶体管也称为顶栅式薄膜晶体管、背沟道阻挡型薄膜晶体管。但不论是正交叠结构，还是反交叠结构，其结构的组成基本都是一样的，一般包括:栅金属电极、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层、源电极、漏电极。 栅电极金属可选用金、铬、铝、钼、铜以及某些合金材料等，但就其成本而言，铝被最广泛采用的。 栅绝缘层可采用由不同方法制备的二氧化硅薄膜和氮化硅薄膜，这两种薄膜各有利弊，初期的薄膜晶体管是用二氧化硅薄膜作为栅绝缘层的，二氧化硅可以填补有源层的晶粒缺陷，增大晶粒密度。而现在越来越青睐于应用氮化硅薄膜作栅绝缘层，但氮化硅薄膜的厚度对薄膜晶体管的影响很大，太厚导致充电电流I较小，像素电容电压较低，液晶不能被充分驱动，降低了薄膜晶体管的开关性能和器件的对比度，甚至无法显示图像;太薄时抗击穿的能力变差，容易出现栅电极与源极短路现象。 针对这一问题，有关研究人员提出了双层栅绝缘层结构。有源层采用硅薄膜，硅薄膜按其平均晶粒大小、晶态百分比、氢原子数含量等不同，依次分为非晶硅、微晶硅、纳米硅、多晶硅、单晶硅。