MOSFET驱动器特点
2018/06/19138
作者：佚名
导读： ●欠压闭锁功能●自适应贯通保护功能●自举电源电压至 114V●1.4A 峰值顶端栅极上拉电流●1.75A 峰值底端栅极上拉电流●耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装●宽 VCC 电压:4.5V 至 13.5V●1.5Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻●0.75Ω 底端栅极驱动器下拉电阻●5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载●8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载●3ns 底端栅极下降时间驱
●欠压闭锁功能
●自适应贯通保护功能
●自举电源电压至 114V
●1.4A 峰值顶端栅极上拉电流
●1.75A 峰值底端栅极上拉电流
●耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装
●宽 VCC 电压:4.5V 至 13.5V
●1.5Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻
●0.75Ω 底端栅极驱动器下拉电阻
●5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载
●8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载
●3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载
●6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载
●可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET
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