第1章 概述
1.1 微电子技术简介
1.1.1 双极型微电子技术简介
1.1.2 MOS微电子技术简介
1.1.3 Bi-CMOS微电子技术简介
1.1.4 SOI微电子技术简介
1.2 光电子技术简介
1.2.1 光发射器件简介
1.2.2 光接收器件简介
1.2.3 光波导器件简介
1.2.4 太阳能电池
1.2.5 电子图像显示器件
1.3 工艺与制备
1.3.1 MBE工艺
1.3.2 MOCVD工艺
1.3.3 氧化
1.3.4 化学气相沉积(CVD)
1.3.5 刻蚀
1.3.6 光学光刻
1.3.7 离子注入
1.3.8 金属化
1.4 微电子与光电子集成技术简介
参考文献
第2章 光发射器件及集成技术
2.1 光发射器件理论基础
2.1.1 晶体结构
2.1.2 能带结构
2.1.3 杂质能级
2.1.4 半导体发光基础理论
2.2 光发射二极管
2.2.1 概述
2.2.2 半导体光发射二极管的基本结构
2.2.3 发光二极管性质
2.2.4 硅基光发射二极管
2.3 半导体激光器
2.3.1 半导体激光器分类
2.3.2 异质结激光器
2.3.3 分布反馈激光器(DFB-LD)
2.3.4 量子阱激光器
2.3.5 硅基半导体激光器
2.4 垂直腔面发射激光器(VCSEL)
2.4.1 VCSEL的理论分析
2.4.2 VCSEL的总体结构设计
2.4.3 VCSEL中反射镜的设计
2.4.4 VCSEL光腔的设计
2.4.5 几种典型的VCSEL结构及其制作工艺
参考文献
第3章 光接收器件及集成技术
3.1 光电探测器理论基础
3.1.1 半导体中的光吸收
3.1.2 光生载流子
3.2 光电探测器性能参数
3.2.1 量子效率和响应度
3.2.2 频率响应
3.2.3 噪声和探测度
3.3 基于Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的光电探测器
3.3.1 PIN型光电探测器
3.3.2 APD光电探测器
3.3.3 MSM光电探测器
3.3.4 GaN基紫外光电探测器
3.4 基于硅基双极型工艺的光电探测器
3.4.1 与标准双极工艺兼容的集成光电探测器
3.4.2 修改双极工艺条件下的集成光电探测器
3.5 基于硅基CMOS工艺的集成光电探测器
3.5.1 基于标准CMOS工艺的集成光电探测器
3.5.2 定制CMOS工艺下的PIN光电探测器
3.5.3 BiCMOS工艺下集成光电探测器
3.6 锗硅光电探测器
3.7 光电探测器阵列
参考文献
第4章 光波导器件及集成技术
4.1 光传输的理论概述
4.1.1 线光学理论
4.1.2 电磁场理论基础
4.2 光波导基本结构
4.3 SOI光波导
4.3.1 SOI光波导结构
4.3.2 光波导的折射率及损耗系数
4.3.3 硅光波导中损耗的分类
4.3.4 硅中的光调制机制
4.4 光波导器件制作技术
4.4.1 SOI基片的制备
4.4.2 SOI波导工艺特点简介
4.5 硅基电光调制器件简介
4.5.1 硅基电光调制器分类
4.5.2 光相位调制器
参考文献
第5章 光电子专用集成电路
第6章 硅基光电子集成回路
第7章 甚短距离光传输模块及相关技术
第8章 微电子与光电子混合集成技术
第9章 微电子与光电子集成技术展望
附录A 缩略语
……
