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可控硅整流器结构

2018/06/1972 作者:佚名
导读: 通常用双三极管来描述可控硅的四层结构,看成一NPN和PNP晶体管的互联. 若两晶体管的共基极电流放大系数分别为α1和α2(均为工作状态的函数),导通的必要条件是α1+α2≃1.阻断状态下, 两晶体管的电流放大系数均很小;若在正向阻断状态下,于控制极注入一正向电流,则NPN管的电流放大系数α1迅速增大,并导致α2的增大,从而满足导通条件.

通常用双三极管来描述可控硅的四层结构,看成一NPN和PNP晶体管的互联. 若两晶体管的共基极电流放大系数分别为α1和α2(均为工作状态的函数),导通的必要条件是α1+α2≃1.阻断状态下, 两晶体管的电流放大系数均很小;若在正向阻断状态下,于控制极注入一正向电流,则NPN管的电流放大系数α1迅速增大,并导致α2的增大,从而满足导通条件.

*文章为作者独立观点,不代表造价通立场,除来源是“造价通”外。
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