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碳化硅器件高温活化炉性能优势

2018/06/19100 作者:佚名
导读: · 高活化效率 · 最小表面粗糙度· 最大温度可达 1950 ℃· 占地少 [1.8 m2]· 升温速率可达 100 K/min· 批处理包括 2″,3″, 4", 6"· 批处理数量达到 40 片硅片[2″], 50 片硅片 [6"]· 真空度小于10-3 mbar [可选]· 可并排安装石墨烯生长

· 高活化效率 · 最小表面粗糙度

· 最大温度可达 1950 ℃

· 占地少 [1.8 m2]

· 升温速率可达 100 K/min

· 批处理包括 2″,3″, 4", 6"

· 批处理数量达到 40 片硅片[2″], 50 片硅片 [6"]

· 真空度小于10-3 mbar [可选]

· 可并排安装石墨烯生长

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