DRO 选用 Infineon 的 CFY25 场效应管 ,是一种中功率输出的砷化镓场效应管 。其具有相位噪声低 、在设计的振荡器频率上易于起振 、性能良好 、同时购买方便等优点 ,适合作为本课题的有源器件 。根据仿真结果 制作的 8. 95 GH z 与两根微带线耦合的并联谐振的介质谐振器,以及将介质谐振器并联有源器件的栅极和漏极之间。

在 DRO 电路调试过程中 , 调试时先不放人介质块 ,振荡源通电后 ,加上盖板 ,形成封闭的腔体应该没有功率输出 ,如有功率输出 ,说明振荡源存在寄生振荡 ,应该设法抑制消除。放入介质块并调整其位置以获得最佳耦合 ,这时振荡源应工作正常 , 调谐盘在400 M H z范围内应没有调模现象 。调整介质块与微带线之间耦合度β1 和 β2 , 是振荡器的输出功率和相位噪声尽量满足设计指标 。最后 , 用微波胶将介质块粘牢 。由于振荡器振荡频率易受负载牵引比较明显 ,为了适应不同负载的变化 , 经常要加一级缓冲放大器使振荡器与负载隔开 , 这样也能进一步提高功率- 频率性能 。设计缓冲放大器采用富士通的 FLK017 场效应管 ,选定管子后先对其进行直流仿真分析 , 基于 FLK017 在ADS 元件库中晶体管模型没有 ADS 仿真软件中提供一种三端口的 S 参数模型。可以直接将所需要的直流工作点的 S参数导入 ,需要注意的是厂家提供的 S2P。件中的 S 参数值是默认发射极接地的情况 , 因此仿真电路中的第三个端口接地  。

在 BA 电路调试过程中 ,起初 ,在所要的频点上 ,功率输出 - 5 dBm , 放大器变成衰减器 。在调试过程中 ,输出 、输入 SM A 口特别敏感 , 可能是安装人为误差影响比较大 , 重新将电路卸载 , 再安装后 , 输出功率到+4 dBm 。为获得最大功率输出 , 对输出 、输入匹配电路以及敏感部位进行调试 。使输出功率达到 8 dBm ,完成设计的目标  。

介质振荡器具有性能优良 、电路结构简单固定 、调试量小 、谐振器的场分析简单 、高频寄生参量少 、温度适应性好等优点 。通过进一步的优化电路仿真 ,对所需的频率电路结构固定 。可实现批量生产 , 扩大应用范围 。因此有很好的工程应用价值 。另外 ,再优化设计电路可以进一步减小电路尺寸 ,缓放可以代替隔离器 , 将介质振荡器后一级加缓放设计在同一个电路板上 ,并在 MM IC 中有很好的应用前景 。