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少子寿命测试仪部分技术参数

2018/06/1975 作者：佚名
导读： ■测试材料:硅半导体材料 - 硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅块、硅片等，锗半导体材料。■可测低阻硅料下限: 0.1Ω.cm, 可扩展到 0.01Ω.cm■激光在单晶硅中的贯穿深度: 500μm■工作频率: 30MHz■低输出阻抗，输出功率> 1W

■测试材料:硅半导体材料 - 硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅块、硅片等，锗半导体材料。

■可测低阻硅料下限: 0.1Ω.cm, 可扩展到 0.01Ω.cm

■激光在单晶硅中的贯穿深度: 500μm

■工作频率: 30MHz

■低输出阻抗，输出功率> 1W

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