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锗硅合金可能存在问题

2018/06/19126 作者：佚名
导读： 为实现最佳fT和运行速率，需要的电流密度比Si的高,这将产生更多的热量。不过，SiGe的热导率比较大，而且可通过光刻来减小发射极宽度以降低热阻。 2) 随着fT的提高,击穿电压将降低。故较适于低电压使用(<6~7V，这对于数字电路是很有利的)。

为实现最佳fT和运行速率，需要的电流密度比Si的高,这将产生更多的热量。不过，SiGe的热导率比较大，而且可通过光刻来减小发射极宽度以降低热阻。 2) 随着fT的提高,击穿电压将降低。故较适于低电压使用(<6~7V，这对于数字电路是很有利的)。

*文章为作者独立观点，不代表造价通立场，除来源是“造价通”外。
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