按照线路要求和工艺条件设计元件的图形和尺寸，并进行布局和布线，同时设计出一套光刻掩模版图形。

版图设计的第一步，是对既定线路按不同电位划分隔离区和确定元件之间的布线。然后，转入对元件的设计。双极型集成电路的元件包括晶体管、二极管、电阻和电容。其中 NPN晶体管的设计是核心。设计一个性能良好的集成电路，首先要设计出电学性能符合要求的晶体管，而晶体管的特性又是由其图形、尺寸和工艺条件所决定的。

在双极型集成电路中，常用的晶体管图形有5种，每一种图形各有其特殊作用(见)。这 5种图形是单基极条形、双基极条形、双基极、双集电极条形、基极马蹄形(并联扩展可设计成梳形结构)和发射极马蹄形。在版图设计中，往往在同一块版图中几种晶体管图形会同时出现，这是因为不同晶体管在电路中所起作用不同。双极型集成电路

双极型集成电路版图设计中常用的二极管，是与晶体管同时制成的。二极管可以利用单独一个基区扩散结;也可以先做成NPN晶体管结构，然后用一定方式连接成二极管。后者的基本连接方式有5种:①基极和集电极短接;②发射极和基极短接;③发射极开路;④发射极和集电极短接;⑤集电极开路。这5种连接法和单独一个基区扩散结共有6种不同的二极管。这6种形式的二极管因结构不同，特性也有差异，在应用中根据不同要求加以选择。

在双极型集成电路的版图设计中，电阻通常是随同晶体管的某一扩散工艺同时进行而制成扩散电阻的。原则上，不论发射区、基区和集电区(外延层)，都可以制作电阻。①基区硼扩散电阻:其薄层电阻值为 150~200欧/□左右，逻辑集成电路中的电阻值范围比较适中，而且温度系数也较小，一般为 1.9×10-3/。②发射区磷扩散电阻:其薄层电阻值为2~5欧/□，可用作低值电阻。但实际上常用作"磷桥"，代替内部金属连线遇到难以避免交叉时完成交越;③基区沟道电阻:这是利用基区扩散和发射区扩散形成的。因为薄层很薄，扩散杂质浓度也低，薄层电阻可高达5~20千欧/□。温度系数较高，一般为3~5×10-3/。这种电阻器又受到工作电压的限制，当反偏压升高时，PN结势垒区扩张，使沟道变得更薄，阻值变大;反之，偏压降低，阻值变小;④体电阻:外延层体电阻阻值很难控制，可用作高阻值电阻，其温度系数高，约为5×10-3/。