1.世界集成电路的发展历史

1947年：贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑；

1950年：结型晶体管诞生；

1950年： r ohl和肖特莱发明了离子注入工艺；

1951年：场效应晶体管发明；

1956年：c s fuller发明了扩散工艺；

1958年：仙童公司robert noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史；

1960年：h h loor和e castellani发明了光刻工艺；

1962年：美国rca公司研制出mos场效应晶体管；

1963年：f.m.wanlass和c.t.sah首次提出cmos技术，今天，95]以上的集成电路芯片都是基于cmos工艺；

1964年：intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍；

1966年：美国rca公司研制出cmos集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）；

1967年：应用材料公司（applied materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司；

1971年：intel推出1kb动态随机存储器（dram），标志着大规模集成电路出现；

1971年：全球第一个微处理器4004由intel公司推出，采用的是mos工艺，这是一个里程碑式的发明；

1974年：rca公司推出第一个cmos微处理器1802；

1976年：16kb dram和4kb sram问世；

1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（vlsi）时代的来临；

1979年：intel推出5mhz 8088微处理器，之后，ibm基于8088推出全球第一台pc；

1981年：256kb dram和64kb cmos sram问世；

1984年：日本宣布推出1mb dram和256kb sram；

1985年：80386微处理器问世，20mhz；

1988年：16m dram问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（vlsi）阶段；

1989年：1mb dram进入市场；

1989年：486微处理器推出，25mhz，1μm工艺，后来50mhz芯片采用 0.8μm工艺；

1992年：64m位随机存储器问世；

1993年：66mhz奔腾处理器推出,采用0.6μm工艺；

1995年:pentium pro, 133mhz，采用0.6-0.35μm工艺；

1997年：300mhz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺；

1999年：奔腾Ⅲ问世，450mhz，采用0.25μm工艺，后采用0.18μm工艺；

2000年: 1gb ram投放市场；

2000年：奔腾4问世，1.5ghz，采用0.18μm工艺；

2001年：intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。

2003年：奔腾4 e系列推出，采用90nm工艺。

2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工艺。

2007年：基于全新45纳米high-k工艺的intel酷睿2 e7/e8/e9上市。

2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发。

2.我国集成电路的发展历史

我国集成电路产业诞生于六十年代，共经历了三个发展阶段：

1965年-1978年：以计算机和军工配套为目标，以开发逻辑电路为主要产 品，初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件；

1978年-1990年：主要引进美国二手设备，改善集成电路装备水平，在“治散治乱”的同时，以消费类整机作为配套重点，较好地解决了彩电集成电路的国产化；

1990年-2000年：以908工程、909工程为重点，以cad为突破口，抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设，为信息产业服务，集成电路行业取得了新的发展。