磁敏电阻器是利用磁阻效应制成的，其阻值会随穿过它的磁通量密度的变化而变化。
半导体磁阻元件在弱磁场中的电阻率p与磁感应强度B之间有如下的关系BR>式中:ρ---在磁场中的电阻率;
ρ。--无磁场时的电阻率;
p---半导体中空穴载流子数量;
N---半导体中电子载流子数量;
μn、μP--载流子的迁移率;
B---磁感应强度。
从上式可以看出，当半导体材料确定时，磁敏电阻器的阻值与磁感应强度呈平方关系。
上式仅适用于弱磁场，在强磁场下，磁敏电阻器的阻值与磁感应强度呈线性关系。 磁敏电阻器多采用锑化钢(InSb)半导体材料制造。
它主要用于测定磁场强度、测量频率和功率等的测量技术，运算技术，自动控制技术以及信息处理技术，并可用于制作无触点开关和可变元接触电位器等。
