美国科学家成功制造出波长255nm、功率0.57w以及波长250nm、功率0.16w的紫外发光二极管(led)。该组件目前尚未封装，该研究小组希望藉由覆晶接合(flip-chip bonding)能将功率等级提高3到5倍。此波段的极深紫外光(ultradeep ultraviolet, uduv)光源未来可能取代水银灯泡，作为生物与化学传感器的激发光源。 南卡罗来纳大学的asif khan等人生长出含铝量高达72﹪的高品质algan层，并以它们做为发光二极管结构中的批覆层(cladding)，用来制造uduv组件。研究人员采用蓝宝石做为led基板，沉积的第一层是aln缓冲层，接着是十层的aln/algan超晶格(superlattice)，接着是厚度1.4微米的al0.72ga0.28n批覆层。 该小组表示，选用铝含量72﹪的algan层是为了使材料在波长250nm时材料仍为透明，这一层是决定组件性能的关键。工作区(active region)包含3个量子井(quantum wells)，改变铝含量可使发射波长在250至200nm之间做调整。 研究人员在脉冲偏压条件(pulsed biased conditions)下测试了波长为255nm的200平方微米的组件以及波长为250nm的150平方微米的组件，两者的尖峰输出功率对应的激发电流分别为200ma与300ma，射极(emitter)的外部量子效率(external quantum efficiencies)分别为0.015﹪及0.01﹪。