电力MOSFET器件是单极型(N沟道MOSFET中仅电子导电、P沟道MOSFET中仅空穴导电)、电压控制型开关器件;因此其通、断驱动控制功率很小，开关速度快;但通态降压大，难于制成高压大电流开关器件。电力三极晶体管是双极型(其中，电子、空穴两种多数载流子都参与导电)、电流控制型开关器件;因此其通-断控制驱动功率大，开关速度不够快;但通态压降低，可制成较高电压和较大电流的开关器件。为了兼有这两种器件的优点，弃其缺点，20世纪80年代中期出现了将它们的通、断机制相结合的新一代半导体电力开关器件--尽缘栅极双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，IGBT)。它是一种复合器件，其输进控制部分为MOSFET，输出级为双级结型三极晶体管;因此兼有MOSFET和电力晶体管的优点，即高输进阻抗，电压控制，驱动功率小，开关速度快，工作频率可达到10~40kHz(比电力三极管高)，饱和压降低(比MOSFET 小得多，与电力三极管相当)，电压、电流容量较大，安全工作区域宽。目前2500~3000V、800~1800A的IGBT器件已有产品，可供几千kVA以下的高频电力电子装置选用。 图1为IGBT的符号、内部结构等值电路及静态特性。IGBT也有3个电极:栅极G、发射极E和集电极C。输进部分是一个MOSFET管，图1中Rdr表示MOSFET的等效调制电阻(即漏极-源极之间的等效电阻RDS)。输出部分为一个PNP三极管T1，此外还有一个内部寄生的三极管T2(NPN管)，在NPN晶体管T2的基极与发射极之间有一个体区电阻rbr。 当栅极G与发射极E之间的外加电压UGE=0时，MOSFET管内无导电沟道，其调制电阻Rdr可视为无穷大，Ic=0，MOSFET处于断态。在栅极G与发射极E之间的外加控制电压UGE，可以改变MOSFET管导电沟道的宽度，从而改变调制电阻Rdr，这就改变了输出晶体管T1(PNP管)的基极电流，控制了IGBT管的集电极电流Ic。当UGE足够大时(例如15V)，则T1饱和导电，IGBT进进通态。一旦撤除UGE，即UGE=0，则MOSFET从通态转进断态，T1截止，IGBT器件从通态转进断态。