半导体器可靠性

本方向从事微电子器件可靠性物理的研究（各种类型的分立半导体器件、集成电路和模块）。可靠性被列为四大共性技术之一，是目前国际上最为活跃的研究和发展的一个领域。目前的研究方向主要包括四个方向：

VLSI/ULSI互连技术及可靠性的研究：随着电路的高密度化、高速化，互连技术已成为VLSI/ULSI继续向前发展的一个瓶颈。本研究室在此领域处于国际前沿的研究工作。

高速微电子器件及MMIC的可靠性研究：主要研究GaAs基和Si/SiGeHBT高速器件、MMIC的可靠性及评价技术。

GaN宽带隙半导体器件的可靠性及评价技术：重点研究宽带隙半导体材料、器件及相关的可靠性问题。

半导体热测量，热失效分析和热设计：主要研究各种功率半导体器件、集成电路和光电子器件，各种热测量技术（nm级区域），热失效分析及热设计，本研究室在这一领域处于国际前沿地位的研究工作。