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CMOS-IC集成电路特佂

2018/06/19210 作者:佚名
导读: 主要封装形式 双列直插(DIP封装)扁平封装(PLCC封装) CMOS集成电路的性能特点 微功耗-CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦(nw)数量级。高噪声容限-CMOS电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。宽工作电压范围-CMOS电路的电源电压一般为1.5~18伏。高逻辑摆幅-CMOS电路输出高、低电平的幅度达到全电为VDD,逻辑"0"为VSS。高输入阻抗--CM

主要封装形式

双列直插(DIP封装)

扁平封装(PLCC封装)

CMOS集成电路的性能特点

微功耗-CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦(nw)数量级。集成电路核心元

高噪声容限-CMOS电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。

宽工作电压范围-CMOS电路的电源电压一般为1.5~18伏。

高逻辑摆幅-CMOS电路输出高、低电平的幅度达到全电为VDD,逻辑"0"为VSS。

高输入阻抗--CMOS电路的输入阻抗大于108Ω,一般可达1010Ω。

高扇出能力--CMOS电路的扇出能力大于50。

低输入电容--CMOS电路的输入电容一般不大于5PF。

宽工作温度范围-陶瓷封装的CMOS电路工作温度范围为

- 55℃~ 125 ℃;塑封的CMOS电路为 – 40 ℃ ~ 85 ℃。

为什么CMOS电路的直流功耗几近于零?

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