转移特性曲线用来描述vDS取一定值时，iD与vGS间的关系的曲线，即

它反映了栅源电压vGS对iD的控制作用。

由于转移特性和输出特性都是用来描述vGS、vDS及iD间的关系的，所以转移特性曲线可以根据输出特性曲线绘出。作法如下:在图XX_01所示的输出特性中作一条vDS=10V的垂线，将此垂线与各条输出特性曲线的交点A、B和C所对应的iD、vGS的值转移到iD-vGS直角坐标系中，即可得到转移特性曲线 ，如图XX_02(a)所示。

图XX_0 改变vDS的大小，可得到一族转移特性曲线，如图XX_02(b)所示。由此图可以看出，当vDS≥|vp|(图中为vDS≥5V)后，不同vDS下的转移特性曲线几乎重合，这是因为在饱和区内iD几乎不随vDS而变。因此可用一条转移特性曲线来表示饱和区中iD与vGS的关系。在饱和区内iD可近似地表示为 (VP<vGS≤0) (5.1.1)

式中IDSS为vGS=0，vDS≥|vp|时的漏极电流，称为饱和漏极电流。

1. 夹断电压VP。当vDS为某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小电流(例如50mA)时，栅源极间所加的电压即夹断电压。

2. 饱和漏极电流IDSS。在vGS=0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。对结型场效管来说，IDSS也是管子所能输出的最大电流。

3. 直流输入电阻RGS。它是在漏源极间短路的条件下，栅源极间加一定电压时的栅源直流电阻。

4. 低频跨导gm。当vDS为常数时，漏极电流的微小变化量与栅源电压vGS的微小变化量之比为低频跨导，即

(5.1.2) gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征场效应管放大能力的一个重要参数。单位为西门子(s)，有时也用ms或ms表示。需要指出的是，gm与管子的工作电流有关，iD越大，gm就越大。

在放大电路中，场效应管工作在饱和区(恒流区)，gm可由式和计算求得，即

5. 输出电阻rd。当vGS为常数时，漏源电压的微小变化量与漏极电流iD的微小变化量之比为输出电阻rd，即

γ=(δvDS)/(δiD)|vDS=常数

rd反映了漏源电压vDS对iD的影响。在饱和区内，iD几乎不随vDS而变化，因此，rd数值很大，一般为几十千欧~几百千欧。

6. 极间电容Cgs、Cgd、Cds。Cgs是栅源极间存在的电容，Cgd是栅漏极间存在的电容。它们的大小一般为1~3pF，而漏源极间的电容Cds约为0.1~1pF。在低频情况下，极间电容的影响可以忽略，但在高频应用时，极间电容的影响必须考虑。

7. 最大漏源电压V(BR)DS。指管子沟道发生雪崩击穿引起iD急剧上升时的vDS值。V(BR)DS的大小与vGS有关，对N沟道而言，vGS的负值越大，则V(BR)DS越小。

8. 最大栅源电压V(BR)GS。是指栅源极间的PN结发生反向击穿时的vGS值，这时栅极电流由零而急剧上升。

9. 漏极最大耗散功率PDM。漏极耗散功率PD(=vDSiD)变为热能使管子的温度升高，为了限制管子的温度，就需要限制管子的耗散功率不能超过PDM。PDM的大小与环境温度有关。除了以上参数外，结型场效应管还有噪声系数，高频参数等其他参数。结型场效应管的噪声系数很小，可达1.5dB以下。