垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管
VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点，无论是开关
应用还是线形应用，VDMOS都是理想的功率器件，VDMOS主要
应用于电机调速、逆变器、不间断电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等。
特征: 接近无限大的静态输入阻抗特性，非常快的开关时间，导通电阻正温度系数，近似常数的跨导， 高dV/dt。
制造过程: 先在重掺杂N衬底上生长一层N型外延层，由P型基区与N源区的两次横向扩散结深之差形成沟道，这两个区域在离子注入过程中都是通过栅自对准工艺注入各自的掺杂杂质。
