现代，电子元件和信通的体积不断变小，速度不断变快，对热处理和可靠性形成了巨大的挑战，尤其是使用寿命沦为关键问题，局部高热流热点的热管理是大功率电子器件的关键，不理想的散热会造成芯片中特殊区域温度过高，影响电子系统性能和电子器件的可靠性，近年来，二维氮化硼被提出可作为一种有前景的散热材料，很多学者报道了而为氮化硼在大功率晶体管热管理中的应用。

单层二维氮化硼又被称为白色石墨，现已成为二维材料家族中的重要一员，它具有与石墨烯类似的结构特征和晶格参数，近年来收到科研界的广泛关注，有希望成为在电子元器件中石墨烯的替代品，目前针对二维层状氮化硼的研究主要集中在制备、电学性能测试分析和应用价值的探讨上。由于氮化硼是一种宽带隙绝缘材料，要选择合理恰当的方法调整带隙结构，使其向半导体转变，是相当有难度的工作，从另一个角度考虑二维氮化硼沿着A、B轴平面的热导率是石英的10倍，而热膨胀系数相当于石英，是陶瓷中最小的，同时二维氮化硼又很高的电阻率，绝缘性号，加上其物理、化学的稳定性，很适合用于电子器件中的绝缘散热材料。

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