块状导体与二维（2D）材料（例如石墨烯）的稳健的电接触对于实际电子器件中使用这些2D材料是至关重要的。石墨烯的典型金属接触，无论是边缘还是平面，都会产生不超过100Ω/μm的电阻率，但通常>10kΩ/μm。本文中，我们使用单晶石墨作为石墨烯的体接触，而不是常规金属。石墨触点的传输长度比常规金属触点长四倍。此外，通过调整石墨和石墨烯晶体的相对取向，我们能够将接触电阻率降至6.6Ω/μm2。我们发现，接触电阻率呈60°的周期对应于晶体对称性，在22°和39°附近急剧下降，这是扭曲的双层石墨烯的相称角度。

图1.器件制备和实验设计图。

图2.石墨烯器件的实验测量数据。

该工作已经发表于Nano Lett上了。（DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b01657，

Nano Lett. 2016, 16, 4477−4482）