场发射特性的发展速度很快，目前碳纳米管场发射已经不是一个新的研究项目。随着人造金刚石氮化硼薄膜的诞生。利用其类似金刚石的特性，且能够形成均匀、平坦的氮化硼膜。为封装电子设备和平面场发射器提供了优越的条件。

尤其是立方氮化硼具有宽带隙、高热稳定性、化学稳定性能和表面负电子亲和势，且硬度极高，仅次于金刚石，因而具备大面积发射稳定、寿命长和低开启电压的突出优点。

很多人利用等离子体辅助化学气相沉积法、离子束辅助沉积、离子镀、溅射沉积等各种物理和化学气相沉积方法在真空条件下可获得氮化硼或含氮化硼相的膜/我们利用磁控溅射方法，在基底加偏压和加热470摄氏度的情况下制备纳米氮化硼薄膜。

磁控溅射方法制备的氮化硼薄膜有较稳定的场发射特性，发射特性与膜厚和沉积时基底偏压有关，基底加160V偏压的氮化硼薄膜场发射开启电场最低。基底所加偏压相同时，在纳米薄膜的情况下，存在一最佳厚度，此时开启电场最低。这是因为基地和氮化硼的功函数不同，它们间存在界面电子转移，界面电子转移有一定厚度，使本不导电的氮化硼薄膜在纳米厚度范围（100纳米）内有一定的电子分布，从而在基底与氮化硼薄膜之间建立电子传输通道，电子在外电场的作用下隧穿表面势垒，发射到真空。

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