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湿敏陶瓷湿敏机理

2022/07/13164 作者:佚名
导读:湿敏陶瓷1.接触晶粒的界面势垒理论 由于湿敏陶瓷为多孔材料,界面接触主要以点接触为主,这样使n型和p型半导体陶瓷的晶粒内部和表面正负离子所处的状态不同。内部离子对称包围,而表面离子则处于未受异性离子屏蔽的不稳定状态,其电子亲和力发生了变化,表现为表面附近能带上弯(n型)或下弯(p型),在半导体陶瓷晶粒接触处产生双势垒曲线,如下图《半导体的表面势》所示。由于晶粒界面势垒的存在,晶粒界面的电阻比晶粒内

湿敏陶瓷1.接触晶粒的界面势垒理论

半导体的表面势 由于湿敏陶瓷为多孔材料,界面接触主要以点接触为主,这样使n型和p型半导体陶瓷的晶粒内部和表面正负离子所处的状态不同。内部离子对称包围,而表面离子则处于未受异性离子屏蔽的不稳定状态,其电子亲和力发生了变化,表现为表面附近能带上弯(n型)或下弯(p型),在半导体陶瓷晶粒接触处产生双势垒曲线,如下图《半导体的表面势》所示。由于晶粒界面势垒的存在,晶粒界面的电阻比晶粒内部大得多。当湿敏陶瓷晶粒晶界处吸收水分子时,由于水分子是一-种强极性物质,其分子结构不对称,在氢原子的一侧具有很强的正电场,使得表面吸附的水分子可以从半导体表面吸附的O2或O中吸取电子,甚至从满带中直接俘获电子。因此将引起晶粒表面电子能态的变化,从而导致晶粒表面电阻和整个元件的电阻变化。对于p型半导体,主要表现为表面俘获电子,形成表面束缚态的负空间电荷,而在表面内层形成自由态的正电荷,该正电荷被氧的施主能级所俘获,使氧的施主能级密度下降,使下弯的能级变平,耗尽层变薄,表面载流子密度增加,电阻率下降 。

湿敏陶瓷2.质子导电理论

质子导电理论把分子在晶粒表面的吸附分为三个阶段:第一阶段少量水分子在晶粒之间的颈部吸附,表面化学吸附水的一个羟基首先与高价阳离子结合,水离解出的H 与表面的氧离子形成第二个羟基,羟基解离后的质子由一个位置向另一个位置移动,形成了质子导电;第二阶段是水分子物理吸附在羟基上,形成多分子吸附层,由于水分子的极化,相对介电常数增加,导致离解水分子的能量增高,促进了水分子的离解;第三阶段,不仅在颈部的凹面,而且在平表面也吸附了大量水分子,在两极间形成了连续电解质层,导致电导率随含水量的增加而增加。

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