由于硅基标准 CMOS 工艺的单片光电集成接收机具有成本低、可批量生产、成品率高120 等优点，成为集成光电子领域的研究热点，并取得了飞速的发展。自 1999年Bell 实验室首次报道了基于标准 CMOS 工艺的光电集成接收机后[9]，各发达国家的研究人员对此进行了积极的探索。比利时 K U Leuven 大学的 Hermans C 等人[18,19]从2000 年开始对基于标准 CMOS 的光电探测器、光接收电路及单片集成光接收机进行了广泛的研究。 2006 年，该研究小组采用 0.18 µm 标准 CMOS 工艺研制出工作波长 850 nm 的传输125 速率 1.2 Gb/s、灵敏度–8 dBm 的单片集成接收机[19]。德国斯图加特大学的 Jutzi M 等人对集成差分探测器和空间调制光探测器的光接收机前端进行了研究， 2006 年报道了一种基于标准 CMOS 工艺集成 SML 探测器的 2Gb/s 单片集成光接收机[20]。另外，荷兰 Twente 大学的Radovanovic S 等人[21]对标准 CMOS 工艺中的高速探测器进行了系统的研究，首次提出采用模拟均衡器补偿探测器的光频响应来实现高速、高灵敏度的光电集成接收机。 2005 年，该130 研究小组基于 0.18 µm 标准 CMOS 技术研制出了一种工作波长 850 nm、传输速率 3 Gbit/s、灵敏度达-19 dBm的单片光电集成接收机。