与国外研究相比，国内对基于标准 CMOS 工艺单片集成光接收机的研究相对迟缓。近年来，中科院半导体所、东南大学、天津大学等多家单位对标准 CMOS 工艺光接收机的前置放大器、光互连、单片集成等方面进行了积极的探索。如东南大学射光所在 CMOS 光接145 收机前置放大器方面做了深入的研究 [26,27]，中科院半导体所在光互连方面取得较大进展。 天津大学新型器件与集成技术实验室在单片集成光接收机芯片研制方面取得较大突破。2009 年，采用 Charted 0.35μ m EEPROM CMOS 工艺集成了差分探测器、差分跨阻放大器及限幅放大器，实现 1.5Gb/s@10-9 的传输速率。2011 年，利用 EEPROM 工艺中的肖特基接触，设计了单片集成 MSM 探测器的光接收机[15]，如图 9 所示，采用有源反馈和150 负米勒反馈电容的跨阻放大器来拓展带宽。 在 Charted 0.35μ m EEPROM CMOS 工艺下实现了带宽为 1.7GHz 的光接收机，在-15dBm 光功率和 10-9 误码率条件下，可完成 2Gb/s的数据传输。