由光源（激光器或发光二极管）及其驱动电路（有时也加监控或其它电路）组成的具有光发射功能的混合集成模块或单片集成组件。驱动电路必须提供足够的电流，因此要求搭配大电流的电器件。光发射器制作的关键问题是降低激光器的阈值电流。GaAs系量子阱（QW）激光器阈值电流为毫安量级，GaAs MESFET（金属一肖特基势垒场效应管）可提供符合要求的驱动电流，已有GaAs系光发射器集成。但适合1.3μm，1.5μm波长光纤通信发送电路用的InP系激光器（不论是异质结构还是量子阱结构），阈值电流还较高，达十几毫安，只制成了混合集成系列光发射器模块。单片集成的电器件很不成熟，工艺难度很大。对MISFET（金属-绝缘体-半导体场效应管）、JFET（结型场效应管）或异质结双极晶体管（HBT）进行了实验。将它们和激光器集成在InP基片上的工艺兼容性还有许多问题尚待解决。

此外，研究最多的是发射波长为1.55μm的带稳频的波长可调谐的分布反馈激光器列阵，它是频分复用及相干光通信系统迫切需要的光发射器集成组件。