首先在SI衬底上腐蚀出一个槽而,让槽的深度等于激光器的厚度。在槽里生长激光器的外延层,然后二次外延生长FE犷r结构。这里由于采用了二次外延技术,增加了工艺的难度,因而降低了可乖复性。光电子器件的厚度为3一6“m,比电子器件大许多倍,这给光刻和连线带来了困难,为解决这一矛后采用了电化学抛光和选择腐蚀。衬底材料和外延层对OEIC的制造都非常重要,为了获得长寿命和较好的工作特性,要求衬底材料必须具有大面积均匀、高纯度及较低的位惜和缺陷密度。外延层通常用于制作光电器件,目前用LFE法生长的激光器和探测器已可以得到较高的量子效率,用MBE和MOCVD的方法不仅可以得到较高光学质量的晶体,而且具有高均匀性和可重复性,因而更适合于OEIC的制作。激光器是OEIC中非常重要的一部分,它必须满足以下要求:(1)低阀值电流,(2)阀值电流对温度的依存关系较弱,(3)稳定的单模和窄谱线输出,(4)高调制速率。从低阀值电流的角度来看,掩埋型异质结构(EH)激光器较为理想,而且许多已做出的OEIC就是采用的BH-LD,不过由于BH-LD制作复杂,所以也采用了许多结构简单的激光器。