日前,LD的制作主要采用液相外延生长(LPE)技术,LPE技术虽然鼓成熟、成本

低、也较方便,但是用它无法制作结构精细的器件。近年来,为了进一步提高LD的性能,保证高重复性、高均匀性和高可靠性,国际上发展了一些新的外延方法。

分子束外延(MBE)生长技术

MBE是70年代在真空蒸发的墓础上迅速发展起来的制备极薄单晶薄膜的新技术。其原理是在超高真空中.将组成化合物的各元素分别装入几个喷射炉内,面对喷射炉放置衬底,衬底加热到几百度,从加热的喷射炉喷出的热分子束,喷射到衬底表面,与表面反应产生单晶薄膜。和液相外延及气相外延相比,MBE具有以下特点:

(1)由于在杂质气压很低的超高真空中结晶生长,因此可制作高纯度单晶。(2)生长速度慢,为0.1-10个/秒,可以达到以单原子层精度生长超薄层薄膜。(3)生长温度低(对GaAs低于63。℃)。生长过程中主体原子和掺杂物质的扩散效应小,可以获得十分陡峭的组分变化。(4)权据二维结晶生长机理,可以得到原子级平整的异质结界面。(5)通过改变喷射炉温度很容易改变组分比和杂质的浓度。(6)利用电子束、离子束等各种表而分析技术可直接进行现场观测。