近年来，非易失性存储技术在许多方面都取得了一些重大的进展，为计算机系统的存储能效提升带来了新的契机，研究者们建议采用新型NVM技术来替代传统的存储技术，以适应计算机技术发展对高存储能效的需求。以相变存储器为代表的多种新型NVM技术因具备高集成度、低功耗等特点而受到国内外研究者的广泛关注。特别地，PCRAM因其具备非易失性、可字节寻址等特性而同时具备作为主存和外存的潜力，在其影响下，主存和外存之间的界限也正在逐渐变得模糊，甚至有可能对未来的存储体系结构带来重大的变革。因此，它被认为是极具发展前景、最有可能完全替代DRAM的新型NVM技术之一。
