《一种单模光纤》包括有芯层和包层，芯层00由掺氟（F）的石英玻璃或掺有氟及其他掺杂剂的石英玻璃组成；围绕在芯层外有三个包层。第一包层10紧密围绕芯层，由掺氟（F）的石英玻璃组成；第二包层20紧密围绕第一包层，第二包层由掺氟（F）的石英玻璃组成，其相对折射率差Δ3小于其它包层。第三包层30为紧密围绕第二包层的所有分层，其各个分层的相对折射率差大于Δ3，第三包层最外层的分层半径为R4，R4的范围是36微米至63微米。所述的第三包层可为一个分层，为掺氟或其他掺杂剂的石英玻璃层，或者第三包层可为两个分层，内分层为掺氟分层301，半径范围是36微米至54微米，外分层为纯硅分层302，即相对折射率差为0％。
按照上述单模光纤的技术方案，在其所规定的范围内对光纤的参数进行设计，并通过PCVD工艺、MCVD工艺、OVD工艺或VAD工艺等芯棒制造工艺来根据光纤的设计要求制造芯棒，通过套管工艺、OVD工艺或VAD工艺等外包工艺来完成整个预制棒的制造。PCVD工艺在进行高浓度的掺氟（F）时，具有一定的优势。
所拉光纤的折射率剖面使用NR-9200设备（EXFO）进行测试，光纤的折射率剖面以及掺杂材料的主要参数如表1-a和表1-b所示。
宏弯附加损耗测试方法参照IEC 60793-1-47中规定的方法，由于波长越长对弯曲越敏感，所以主要测试光纤在1550纳米和1625纳米波长处的弯曲附加损耗，以准确评估光纤在全波段范围内（尤其是L波段）的弯曲敏感性。将光纤按一定直径绕成1圈或10圈，然后将圆圈放开，测试打圈前后光功率的变化，以此作为光纤的宏弯附加损耗。
微弯损耗测试方法参照IEC TR 62221-2001中规定Method B的方法，由于长波长对于弯曲更敏感，故测试波长范围为1300纳米至1700纳米，并且重点关注光纤在1550纳米以上波长的微弯损耗的大小。
所拉光纤的主要性能参数如表2所示。
从实施例可以看出，V值和（Δ1-Δ2）值对于光纤的弯曲性能有明显的影响，如序号为5和6以及序号3和4的实施例所反映的情况，更大的V值和（Δ1-Δ2）值意味着光纤具有更好的抗弯曲性能。而芯层中氟（F）的贡献量会影响光纤的衰减性能，在Δ1为一定值的情况下，芯层中氟（F）的贡献量如果增加，则意味着芯层中“正掺杂剂”的浓度需要相应的增加以维持Δ1不变，掺杂剂浓度的增加将进一步降低芯层材料的粘度，使得芯层和包层材料的粘度匹配程度提高，有利于对光纤衰减性能的改善，如序号为1和2的实施例所反映的情况。第三包层的氟（F）的贡献量ΔF对于光纤的衰减性能也有影响，如序号为7、8、9的实施例所反映的情况。更大的掺氟浓度会使得掺氟分层的相对折射率差更低，将有利于进一步的避免光纤的“LP01模泄漏”现象，然而更大的掺氟浓度也意味着该包层的粘度会进一步降低，这样将不利于该包层在拉丝过程中承载拉丝张力，会使得光纤纤芯部分集中更多的应力，对于衰减会有不利的影响，所以需要综合考虑第三包层的掺氟量的大小。同时，如果第三包层包含靠内的掺氟分层和靠外的纯硅分层，则需要考虑靠外的纯硅分层的定位，使得该分层不会引起光纤的“LP01模泄漏”，同时又要维持足够的厚度使得其在拉丝过程中承载部分拉丝张力，避免应力集中在光纤纤芯部分。序号为10、11、12的实施例中，光纤的第三包层分成靠内的掺氟分层和靠外的纯硅分层，从表2的数据来看，当靠外的纯硅分层所在环的内径D4＊足够大时，在避免光纤的“LP01模泄漏”现象的同时，该层材料可有效承载部分拉丝张力，这样应力将不会明显集中于光纤的纤芯部分，光纤的衰减性能就得到了改善。
实验表明，按照《一种单模光纤》的技术方案所制造的光纤，其1550纳米处的模场直径可以达到10微米以上，光缆截止波长保证在1530纳米以下，1550纳米处的衰减系数保证在0.180分贝/千米以下，且光纤具有良好的抗弯曲性能，包括良好的抗宏弯性能和抗微弯性能，光纤在1550纳米波长处，对于围绕10毫米弯曲半径绕1圈弯曲附加损耗小于或等于0.5分贝；对于围绕15毫米弯曲半径绕10圈弯曲附加损耗小于或等于0.2分贝；在1625纳米波长处，对于围绕10毫米弯曲半径绕1圈弯曲附加损耗小于或等于1.0分贝；对于围绕15毫米弯曲半径绕10圈弯曲附加损耗小于或等于0.8分贝。同时光纤在1700纳米的微弯损耗小于0.8分贝/千米。
注1：D4＊表示第三包层靠内的掺氟分层的直径，D4表示第三包层最外层的纯硅分层的直径。
注2：Δ4＊表示第三包层靠内的掺氟分层的相对折射率差。
