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基座法简介

2022/07/13231 作者:佚名
导读:基座法(pedestal pulling method)用于表面张力较大的硅单晶生长,可视为是直拉法和悬浮区熔法的混合技术,兼有直拉法和悬浮区熔法的优点。

基座法(pedestal pulling method)用于表面张力较大的硅单晶生长,可视为是直拉法和悬浮区熔法的混合技术,兼有直拉法和悬浮区熔法的优点。

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