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如图1：基座法图所示，以一个较粗的圆形多晶棒作为基座，用高频感应加热或电子束加热的方法使其顶端熔化，形成一个“硅池”，拉晶在“硅池”中进行，在拉出单晶的同时，基座被消耗，如此形成一个连续的无坩埚工艺。
由于基座法不用石英坩埚，避免了氧的引入，又由于采用高频感应加热或电子束加热，不使用石墨部件，避免了碳的沾污，并且单晶生长时连续地消耗基座，因而能提高晶体轴向电阻率的均匀性，并可以采用偏心技术来提高径向电阻率的均匀性。
