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氮化铝膜最早用化学气相沉积(CVI)制备,其沉积温度高达1000摄氏度以上。后来,通过采用等离子体增强化学气相沉积,或用物理气相沉积((PVD)方法,其沉积温度逐步降到500摄氏度以下、甚至可以在接近室温条件下沉积。