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pn结电容历史

2022/07/13135 作者：佚名
导读：1948年，威廉·肖克利的论文《半导体中的PN结和PN结型晶体管的理论》发表于贝尔实验室内部刊物。肖克利在1950年出版的《半导体中的电子和空穴》中详尽地讨论了结型晶体管的原理，与约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿共同发明的点接触型晶体管所采用的不同的理论。

1948年，威廉·肖克利的论文《半导体中的PN结和PN结型晶体管的理论》发表于贝尔实验室内部刊物。肖克利在1950年出版的《半导体中的电子和空穴》中详尽地讨论了结型晶体管的原理，与约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿共同发明的点接触型晶体管所采用的不同的理论。

*文章为作者独立观点，不代表造价通立场，除来源是“造价通”外。
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