随着锗半导体材料提纯技术的进展，已可直接用超纯锗材料制备辐射探测器。它具有工艺简单、制造周期短和可在室温下保存等优点。用超纯锗材料还便于制成X、γ射线探测器,既可做成很大灵敏体积，又有很薄的死层,可同时用来探测X和γ射线。高纯锗探测器发展很快，有逐渐取代锗。
采用高纯度的 P型Ge单晶，一端表面通过蒸发扩散或加速器离子注入施主杂质(如磷或锂)形成 N区 和 N ，并形成P-N结。另一端蒸金属形成 P ，并作为入射窗。两端引出电极。
因为杂质浓度极低，相应的电阻率很高。空间电荷密度很小，P区的耗尽层厚度大。
1) P区存在空间电荷，HPGe半导体探测器是PN结型探测器 。
2) P区为非均匀电场。
3) P区为灵敏体积，其厚度与外加电压有关，一般工作于全耗尽状态。
4) HPGe半导体探测器可在常温下保存，低温下工作。
