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H桥的高电压端驱动器会使用电荷泵作为闸级驱动器，以切换高电压端n-channel的功率MOSFET及绝缘栅双极晶体管。使用这类元件的原因是其性能良好，但是需要比电源轨电压小一些的闸级电压。若半桥的中心点电压降低时，电容可以透过二极管充电，电荷会在稍晚时间驱动高电压端的FET闸极，使其电压略高于电源轨电压，使此导通。此法可以让桥式电路定期切换，也避免了隔离的电源供应器，可以在高电压端及低电压端都使用效率较好的n-channel元件。
