SdH震荡由样品中的二维电子密度决定。对于一个给定的磁通Ф，每个朗道能级自旋为1/2的电子的最大值为：

代入磁通量子Φ₀= h ⁄e和磁通Φ =B∙A，可得

假设N为单位面积电子状态数的最大值，则D=N∙A

假设每一个朗道能级对应一个边缘通道，对于一个给定边缘通道的i，通道内单位面积填充电子数为N，那么单位面积电子的总数可以写作：

单位面积电子的总数通常与样品的电子密度相关，样品中的电子不会无端消失，所以电子密度n为常数，则

对于给定的样品，公式3中的电子密度n都是常数，作图i-1/B_i，可得到一个斜率为2 ∙e/(n∙h)的直线。由于电子电荷e 和普朗克常数h是已知的,可以从图中推导出样品中的电子密度。在高掺杂Bi₂Se₃中可以观察Shubnikov-de Haas振荡。图3显示了Bi2Se3样品的倒数第10到第14个最小的磁通量密度倒数1/Bi。由线性拟合得到的0.00618/T的斜率为电子密度n。

Shubnikov-de Haas振荡可以用来通过确定不同应用场方向的振荡周期来绘制样品中电子的费米表面。