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超高频自适应电流源驱动关键技术的研究项目摘要

2022/07/15141 作者:佚名
导读:提出超高频(> 30MHz)自适应电流源驱动的概念。系统研究超高频电流源驱动的拓扑、建模、设计优化和芯片集成,解决现有电流源驱动技术不能适应超高频工作的不足,提出适用于超高频功率系统的电流源电路族,探索其内在联系和一般规律;提出分别适用于主功率MOSFET和同步整流MOSFET的自适应电流源驱动控制策略,动态调节驱动电压与驱动电流,在减小高频驱动损耗的同时,减少开关损耗,实现超高工作频率和宽范围内

提出超高频(> 30MHz)自适应电流源驱动的概念。系统研究超高频电流源驱动的拓扑、建模、设计优化和芯片集成,解决现有电流源驱动技术不能适应超高频工作的不足,提出适用于超高频功率系统的电流源电路族,探索其内在联系和一般规律;提出分别适用于主功率MOSFET和同步整流MOSFET的自适应电流源驱动控制策略,动态调节驱动电压与驱动电流,在减小高频驱动损耗的同时,减少开关损耗,实现超高工作频率和宽范围内高效率。基于上述关键技术,研究电流源驱动集成的一般方法,研究并提出芯片集成电感的方案,完成电流源驱动芯片样机(工作频率>30MHz)。研究电流源驱动芯片与功率芯片、控制芯片的多芯片集成方法,完成多功率芯片集成系统(工作频率>150 MHz)。该项目是电力电子和微电子学科的交叉领域和前沿领域,可以推进我国在功率芯片领域达到国际先进水平,满足未来航空航天和国防军事中的高性能功率芯片的迫切需要。

*文章为作者独立观点,不代表造价通立场,除来源是“造价通”外。
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